10 µm

O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971,[1] por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel.

Fabricação
de dispositivos
semicondutores

10 µm – 1971
6 µm - 1974
3 µm - 1977
1,5 µm - 1982
1 µm - 1985
800 nm - 1989
600 nm - 1994
350 nm - 1995
250 nm - 1997
180 nm - 1999
130 nm - 2001
90 nm - 2004
65 nm - 2006
45 nm - 2008
32 nm - 2010
22 nm - 2012
14 nm - 2014
10 nm - 2016
7 nm - 2018
5 nm - 2020

Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm.[2] Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm.[3]

Referências

«Microprocessors from 1971 to the Present | Microprocessor Types and Specifications | InformIT». www.informit.com. Consultado em 12 de dezembro de 2021
Bo., Lojek, (2007). History of semiconductor engineering. [S.l.]: Springer. OCLC 422743877
«Wayback Machine» (PDF). web.archive.org. 9 de agosto de 2007. Consultado em 13 de dezembro de 2021

Precedido por:
*

processos de fabricação CMOS

Sucedido por:
6 µm

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[1] «Microprocessors from 1971 to the Present | Microprocessor Types and Specifications | InformIT». www.informit.com. Consultado em 12 de dezembro de 2021

[2] Bo., Lojek, (2007). History of semiconductor engineering. [S.l.]: Springer. OCLC 422743877

[3] «Wayback Machine» (PDF). web.archive.org. 9 de agosto de 2007. Consultado em 13 de dezembro de 2021