250 nanômetros
O processo de 250 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1996 a 1998.[1][2]
| Fabricação de dispositivos semicondutores
|
Um processo CMOS de 250 nm foi demonstrado por uma equipe de pesquisa japonesa da NEC em 1987.[3] Em 1988, uma equipe de pesquisa da IBM fabricou um MOSFET de porta dupla de 250 nm usando um processo CMOS.[4]
Referências
- Rai-Choudhury, P. (1997). Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication: Microlithography (em inglês). [S.l.]: IET
- Smith, Bruce W.; Suzuki, Kazuaki (1 de maio de 2020). Microlithography: Science and Technology (em inglês). [S.l.]: CRC Press
- Kasai, N.; Endo, N.; Kitajima, H. (dezembro de 1987). «0.25 µm CMOS technology using P+polysilicon gate PMOSFET»: 367–370. doi:10.1109/IEDM.1987.191433. Consultado em 16 de dezembro de 2021
- Oklobdzija, Vojin G. (19 de dezembro de 2017). Digital Design and Fabrication (em inglês). [S.l.]: CRC Press
| Precedido por: 350 nm |
processos de fabricação CMOS | Sucedido por: 180 nm |
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.